ROHM выпускает DOT-247: интегрированный 2-в-1 SiC модуль в литьевом корпусе для промышленных применений

ROHM Semiconductor представляет инновационный модуль DOT-247 для промышленного применения

**Резюме:** 16 сентября 2025 года компания ROHM Semiconductor анонсировала разработку интегрального модуля DOT-247 серии SCZ40xxDTx/SCZ40xxKTx, предназначенного для использования в фотоэлектрических инверторах, системах бесперебойного питания и полупроводниковых реле. Модуль сочетает технологию карбида кремния (SiC) с литьевым корпусом, обеспечивая повышенную плотность мощности и гибкость проектирования.

**Технические характеристики и особенности:** Модуль DOT-247 реализован в формате 2-в-1, что позволяет интегрировать два силовых элемента в единый корпус стандарта TO-247. Конструкция на основе SiC-технологии обеспечивает снижение коммутационных потерь на 30% по сравнению с традиционными кремниевыми аналогами. Тепловое сопротивление корпуса сокращено до 0,5 K/W, что повышает эффективность теплоотвода. Рабочее напряжение составляет 1200 В при токовых нагрузках до 40 А. Литьевая технология encapsulation обеспечивает степень защиты, соответствующую промышленным стандартам IPC-4101.

**Рыночный контекст и применение:** Разработка ориентирована на растущий рынок промышленной электроэнергетики, где прогнозируется ежегодный рост сегмента SiC-компонентов на 18% к 2027 году (данные Omdia). Внедрение модуля позволит сократить габариты преобразовательной техники на 20-25% за счёт повышенной интеграции. Ключевыми областями применения определены солнечная энергетика (мощность инверторов до 100 кВт), системы UPS класса 10-100 кВА и силовые ключи промышленных реле.

**Перспективы и влияние на отрасль:** По оценкам ROHM Semiconductor, новинка позволит сократить сроки разработки промышленного оборудования на 15% благодаря стандартизированному монтажу и уменьшению количества дискретных компонентов. Массовое производство модулей планируется начать в первом квартале 2026 года на мощностях завода в Кусацу (Япония). Ожидается, что продукт займёт не менее 12% рынка SiC-модулей средней мощности в течение двух лет после запуска серийного производства.