ROHM Semiconductor начинает массовое производство SiC MOSFET в корпусе TOLL, устанавливая новый стандарт для силовой электроники
Компания ROHM Semiconductor, ведущий производитель полупроводниковых компонентов, объявила 4 декабря 2025 года о начале массового производства новой серии кремниево-карбидных (SiC) MOSFET SCT40xxDLL в корпусах TOLL (TO-Leadless). Данная разработка направлена на удовлетворение растущего спроса на миниатюризацию и повышение мощности в таких сегментах, как источники питания для серверов и системы накопления энергии (ESS).
Новые компоненты серии SCT40xxDLL демонстрируют значительное улучшение ключевых параметров по сравнению с традиционными корпусами, такими как TO-263-7L, при аналогичных номинальных напряжениях и сопротивлении в открытом состоянии. Инженерам ROHM удалось повысить эффективность теплоотвода примерно на 39%. Этот прорыв в тепловых характеристиках позволяет новым SiC MOSFET обеспечивать высокую мощность в условиях компактных размеров и малой высоты компонента, что критически важно для современных высокоплотных схемотехнических решений.
Внедрение данных компонентов происходит на фоне активного перехода промышленности на широкозонные полупроводники, такие как SiC, которые обеспечивают более высокий КПД и меньшие потери по сравнению с традиционным кремнием. Улучшенные тепловые характеристики корпуса TOLL позволяют разработчикам силовой электроники создавать более компактные и эффективные устройства для рынков серверной инфраструктуры и энергетики, где требования к удельной мощности и габаритам постоянно ужесточаются. Ожидается, что данная новинка укрепит позиции ROHM на конкурентном рынке силовых полупроводников и будет способствовать ускорению внедрения технологий SiC в новых поколениях промышленного оборудования.