**Schaeffler и ROHM Semiconductor запускают серийное производство инверторного модуля на базе SiC-чипов для электромобилей**
**Резюме:** 4 сентября 2025 года компания ROHM Semiconductor (Япония) и немецкий автокомпонентный поставщик Schaeffler объявили о начале массового производства высоковольтного инверторного модуля, интегрирующего кремниево-карбидные (SiC) MOSFET-чипы ROHM. Продукт разработан в рамках стратегического партнёрства и будет поставляться крупному китайскому автопроизводителю.
**Детали и ключевые данные:** Инверторный модуль, известный как «inverter brick», является критически важным компонентом для электромобилей, преобразующим постоянный ток от аккумулятора в переменный для питания тягового электродвигателя. Внедрение технологии SiC MOSFET от ROHM позволяет значительно повысить эффективность преобразования энергии по сравнению с традиционными кремниевыми (Si) IGBT-транзисторами. Это приводит к снижению потерь энергии на нагрев на 50–70% и увеличению запаса хода электромобиля на 5–10%. Модуль разработан для работы в высоковольтных системах электромобилей с напряжением 800 В, что соответствует современным тенденциям в индустрии.
**Последствия и прогнозы:** Запуск массового производства данного модуля укрепляет позиции Schaeffler как поставщика ключевых компонентов для электромобилей и демонстрирует растущее внедрение технологии SiC в автопроме. Согласно прогнозам аналитической компании Yole Développement, рынок силовой электроники на основе SiC для автомобильной промышленности к 2027 году достигнет $5 млрд, демонстрируя среднегодовой темп роста (CAGR) свыше 30%. Партнёрство с крупным китайским автопроизводителем подчёркивает стратегическую важность китайского рынка для внедрения новых технологий и указывает на дальнейшую глобализацию цепочек поставок в автомобильной промышленности.