Tower Semiconductor объявляет о запуске новой технологии CPO-производства на оптических платформах Sipho и EIC. Компания расширяет применение передовых методов совмещения пластин для интеграции кремний-фотонных и RF-SOI компонентов, что создает предпосылки для выпуска более компактных и производительных чипов для рынков центров обработки данных и телекоммуникаций следующего поколения.
Технологический прорыв заключается в адаптации передовых процессов совмещения пластин 300-миллиметрового формата для комплексной интеграции кремний-фотонных и RF-SOI компонентов. Это позволяет создавать чипы с улучшенными показателями энергоэффективности и пропускной способности при сокращении физических размеров. Новая производственная платформа ориентирована на выпуск продукции для сегментов высокоскоростной передачи данных и телекоммуникационной инфраструктуры 5G/6G.
Внедрение технологии происходит на фоне растущего глобального спроса на решения для искусственного интеллекта и машинного обучения, требующих повышенной пропускной способности межчиповых соединений. Аналитики рынка полупроводниковой промышленности отмечают устойчивый тренд на увеличение инвестиций в кремний-фотонные технологии, с прогнозируемым ростом сегмента на 25-30% ежегодно до 2028 года.
Рыночные последствия разработки включают потенциальное укрепление конкурентных позиций Tower Semiconductor в сегменте специализированных полупроводниковых решений. Технология может получить применение в системах облачных вычислений и телекоммуникационном оборудовании нового поколения. Отраслевые эксперты указывают на возможность перераспределения долей рынка в пользу компаний, обладающих компетенциями в области комплексной интеграции разнородных полупроводниковых технологий.