Зарядные устройства GaN набирают обороты: рынок ожидает среднегодовой темп роста 20,8% к 2030 году
Мировой рынок зарядных устройств на основе нитрида галлия демонстрирует устойчивый рост, согласно последним отраслевым исследованиям. Аналитики прогнозируют среднегодовой темп роста на уровне 20,8% до 2030 года. Ключевыми драйверами развития рынка выступают энергоэффективность технологии, массовое внедрение стандарта USB-C и интеграция в инфраструктуру электромобилей.
Комплексный анализ рынка охватывает зарядные устройства GaN across различных мощностных диапазонов, типов устройств и географических регионов. Исследования подтверждают, что технология GaN обеспечивает до 30% повышение энергоэффективности по сравнению с традиционными кремниевыми решениями. Рост adoption стандарта USB-C Power Delivery в устройствах Apple, Samsung и других производителей создает дополнительный импульс для развития рынка. В сегменте электромобилей наблюдается активное внедрение GaN-зарядных станций постоянного тока мощностью от 22 кВт, что способствует сокращению времени зарядки на 15-20%.
Текущая ситуация на рынке характеризуется увеличением инвестиций в производственные мощности со стороны таких компаний, как Navitas Semiconductor, Power Integrations и Infineon Technologies. Географическое распределение показывает лидерство Азиатско-Тихоокеанского региона, где сосредоточены ключевые производственные цепочки. Прогнозы основаны на анализе патентной активности, которая выросла на 45% за последние два года, и государственных программ поддержки энергоэффективных технологий в ЕС и США. Ожидается, что к 2028 году доля GaN-зарядных устройств в премиальном сегменте мобильной электроники достигнет 65%.